在2023年8月，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司向国家知识产权局申请了一项革命性的专利，公开号为CN119497362A。这项名为“半导体结构及其形成方法”的专利，不仅在技术上具有前㊣瞻性，更是推动半导体行业向更高集成度迈出重要一步。

　　通过新申请的专利，中芯㊣国际提出了一种独特的半导体结构，该结构包括下拉和上拉的晶体管，以及提升其集成度的多个新组件。具体而言，第一栅极结构和第一沟道层构成了下拉晶体管，而相应的上拉晶体管则由第一栅极结构□□□、第二沟道层及第㊣二源漏极共同构成。这种结合不仅优化了传统半导体结构，还通过栅极插塞等新元素与介电层□□□□、金属层的综✅合运用，进一步提升了整个结构的性✅能。

　　这项专利的核心在于其创新的层叠设计和高度的模✅块化，意味着未来的半导体器件可以在不增加尺寸的前提下，拥有更强的性能和更高的集成度。随着科技的不断进步，电子设备对高集成度的需求日益增加，而中芯国际的这一技术无疑会在未来的市场竞争中占得先机。

　　从更广阔的背㊣景来看，中芯国际作为中国半导体制造的领军企业，自2000年成立以来始终处于行业的前沿。通过对外投资□□□、参与招投标项目以及拥有丰富的专利储备（多达5000条），它向全球展示了中国在科技领跑的决心。

　　在全球半导体竞争日趋激烈的当下，此次专利的申请无疑为中芯国际提供了进一步发展的可能性，也昭示着更多的创新将源源不断地涌现。市场参与者们无不期待着这项新技术的商业化进程，掌握在手中的不仅是技术✅㊣的钥匙，更是未来市场的通行证喇叭 英文。返回搜狐，查看更多